Si-Ge系の比熱及び熱膨張係数の計算

加賀屋, 弘子; 相馬, 俊信; 木谷, 佳子

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http://hdl.handle.net/2433/91828

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ファイル	記述	サイズ	フォーマット
KJ00004773450.pdf		251.62 kB	Adobe PDF	見る/開く

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DCフィールド	値	言語
dc.contributor.author	加賀屋, 弘子	ja
dc.contributor.author	相馬, 俊信	ja
dc.contributor.author	木谷, 佳子	ja
dc.contributor.alternative	KAGAYA, Hiroko	en
dc.contributor.alternative	SOMA, Toshinobu	en
dc.contributor.alternative	KITANI, Yoshiko	en
dc.contributor.transcription	カガヤ, ヒロコ	ja
dc.contributor.transcription	ソウマ, トシノブ	ja
dc.contributor.transcription	キタニ, ヨシコ	ja
dc.date.accessioned	2010-01-26T07:09:20Z	-
dc.date.available	2010-01-26T07:09:20Z	-
dc.date.issued	1985-10-20	-
dc.identifier.issn	0525-2997	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2433/91828	-
dc.description	この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。	ja
dc.description.abstract	純構成要素Si及びGeの力定数への体積効果を用いる以前の取扱いで,我々は固体電子論の第一原理からSi-Ge固溶体の熱物性を研究する。Si_<1-x>Ge_x固溶体の定積比熱は濃度xの単調関数となり,原子濃度の一次内挿によってほぼ与えられる。Si-Ge固溶体のGruneisen定数と熱膨張係数は,特有の濃度依存性を示す。Gruneisen、定数の高温部でのほぼ一定の値と低温部での負の最小値は,原子濃度xの単調関数ではなく,それぞれx=0.7近傍で最大値及びx=0.2近傍で最小値をとる。更に,低温部と高温部の線熱膨張係数は,原子濃度xの直線近似からは大きくずれる。	ja
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	jpn	-
dc.publisher	物性研究刊行会	ja
dc.subject.ndc	428	-
dc.title	Si-Ge系の比熱及び熱膨張係数の計算	ja
dc.type	departmental bulletin paper	-
dc.type.niitype	Departmental Bulletin Paper	-
dc.identifier.ncid	AN0021948X	-
dc.identifier.jtitle	物性研究	ja
dc.identifier.volume	45	-
dc.identifier.issue	1	-
dc.identifier.spage	1	-
dc.identifier.epage	6	-
dc.textversion	publisher	-
dc.sortkey	003	-
dc.address	秋田大学・鉱山学部共通講座	ja
dc.address	秋田大学・鉱山学部共通講座	ja
dc.address	秋田大学・鉱山学部電子工学科:(現)日本モトローラK.K.	ja
dcterms.accessRights	open access	-
出現コレクション:	Vol.45 No.1

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