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KJ00004773697.pdf | 246.47 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | 半導体化合物の比熱の計算 |
著者: | 加賀屋, 弘子 相馬, 俊信 |
著者名の別形: | KAGAYA, Hiroko SOMA, Toshinobu |
発行日: | 20-May-1986 |
出版者: | 物性研究刊行会 |
誌名: | 物性研究 |
巻: | 46 |
号: | 2 |
開始ページ: | 139 |
終了ページ: | 145 |
抄録: | 13種の正四面体的配置をとる半導体化合物即ちAlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb,InP, InAs, InSb, ZnS, ZnSe, ZnTe及びCdTeに関する比熱の温度依存性は,AlPとAlAsに関しては実験的に報告されていないが,我々が提案した結合力を用いて第一原理から理論的に研究される。低温での比熱は,ブリルアン帯内の和を対称性の良い方向での重みつき平均で置き換える,通常用いられる簡単化された方法では満足に得られない。更に,定圧比熱と定積比熱との間の違いは,定量的に評価され,この寄与は重要ではない。温度依存性の比熱の得られた結果は,これらの半導体化合物の実験値を評価する上で又,非調和効果を研究するのに有用である。 |
記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/92032 |
出現コレクション: | Vol.46 No.2 |
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