半導体化合物の熱振動数への圧縮効果と熱膨張

加賀屋, 弘子; 相馬, 俊信

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http://hdl.handle.net/2433/92082

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ファイル	記述	サイズ	フォーマット
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DCフィールド	値	言語
dc.contributor.author	加賀屋, 弘子	ja
dc.contributor.author	相馬, 俊信	ja
dc.contributor.alternative	KAGAYA, Hiroko	en
dc.contributor.alternative	SOMA, Toshinobu	en
dc.contributor.transcription	カガヤ, ヒロコ	ja
dc.contributor.transcription	ソウマ, トシノブ	ja
dc.date.accessioned	2010-01-26T07:20:28Z	-
dc.date.available	2010-01-26T07:20:28Z	-
dc.date.issued	1986-06-20	-
dc.identifier.issn	0525-2997	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2433/92082	-
dc.description	この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。	ja
dc.description.abstract	AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, ZnS, ZnSe, ZnTe及びCdTeの13種の正四面体的配置をとる半導体化合物のフォノン振動数v_i(q)の圧縮効果,即ちモードGruneisenパラメータが,我々の提案した格子振動の方法を用いて固体電子論から研究される。更に,これら正四面体的配置をとる半導体化合物に関する平均のGruneisen定数γと線熱膨張係数αの理論値が,提唱される。αの実験値はAlpとAlAsに関しては報告されていないが,αの理論値は他の正四面体的化合物と異なり,30K以下の限られた低温領域でわずかに負になる。GaPに関して得られたαの温度依存性は,以前の正の熱膨張の予言と逆に,ブリルアン帯の既約1/48部分中のフォノン・モードの総和によって,低温部で負になる。対称性の良い方向即ち[100],[110]及び[111]方向での重みつき平均による簡単化された取扱いは,γとαの温度依存性に関して正しい結果を与えない。半導体化合物に関するγ_i(q),γ及びαについての我々の提唱データは,実験値を評価する上で,又これら化合物の非調和効果を研究する上で有用である。	ja
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	jpn	-
dc.publisher	物性研究刊行会	ja
dc.subject.ndc	428	-
dc.title	半導体化合物の熱振動数への圧縮効果と熱膨張	ja
dc.type	departmental bulletin paper	-
dc.type.niitype	Departmental Bulletin Paper	-
dc.identifier.ncid	AN0021948X	-
dc.identifier.jtitle	物性研究	ja
dc.identifier.volume	46	-
dc.identifier.issue	3	-
dc.identifier.spage	309	-
dc.identifier.epage	319	-
dc.textversion	publisher	-
dc.sortkey	003	-
dc.address	秋田大学・鉱山学部共通講座	ja
dc.address	秋田大学・鉱山学部共通講座	ja
dcterms.accessRights	open access	-
出現コレクション:	Vol.46 No.3

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