電子トンネル分光によるoptimum ～overdope域における擬ギャップ構造の観察(基研研究会「強結合超伝導-Pseudogapを中心として-」,研究会報告)

Abstract

最適ドープ域からオーバードープ域にかけてキャリア数をコントロールしたBi2212系に対して電子トンネル分光を用いて擬ギャップ形成の様子を観測した。その結果、最適ドープ状態、オーバードープ状態のどちらにおいても超伝導転移温度よりも高温でフェルミ面近傍にギャップ様構造が残ることを確認した。これは超伝導を示すほぼすべてのドープ領域で擬ギャップ構造が存在することを意味しており、その起源が超伝導出現の舞台である異常金属相の形成に深く関連することを示唆している。