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dc.contributor.author佐藤, 正英ja
dc.contributor.alternativeSato, Masahideen
dc.contributor.transcriptionサトウ, マサヒデja
dc.date.accessioned2010-02-10T05:23:17Z-
dc.date.available2010-02-10T05:23:17Z-
dc.date.issued2000-05-20-
dc.identifier.issn0525-2997-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/96824-
dc.descriptionこの論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。ja
dc.description.abstract気相のような希薄な環境相からの結晶成長の場合,結晶表面に現れるステップ位置での原子の固化が結晶の成長に重要な働きをする.最近の電子顕微鏡技術の発達により,固化にともなう原子層の高さのステップの運動の観察が可能になってきている.特に盛んに調べられているものの1つとして,シリコンを直流電流で加熱して結晶を昇華させた時の(111)微斜面上のステップ列の不安定化かある.ここでは原子一層分の高さを持つステップからなる微斜面を考え,2種類のステップの不安定性,ステップの蛇行とステップの束の形成(ステップ・バンチング)について調べた結果を紹介する.特に,シリコン(111)微斜面での直線ステップ列の不安定化を念頭において,表面原子のドリフト流により起きるステップの不安定化について考える.ja
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isojpn-
dc.publisher物性研究刊行会ja
dc.subject.ndc428-
dc.title表面拡散場中のステップの不安定化とパターン形成 : 表面原子のドリフト流による不安定化の場合ja
dc.typedepartmental bulletin paper-
dc.type.niitypeDepartmental Bulletin Paper-
dc.identifier.ncidAN0021948X-
dc.identifier.jtitle物性研究ja
dc.identifier.volume74-
dc.identifier.issue2-
dc.identifier.spage93-
dc.identifier.epage112-
dc.textversionpublisher-
dc.sortkey003-
dc.address名古屋大学理学研究科:学習院大学計算機センターja
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:Vol.74 No.2

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