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書誌情報 | ファイル |
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High channel mobilities of MOSFETs on highly-doped 4H-SiC (11-20) face by oxidation in N2O ambient Kanzaki, Y; Kinbara, H; Kosugi, H; Suda, J; Kimoto, T; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 1429-1432 | |
4H-SiC MOSFETs with a novel channel structure (sandwiched channel MOSFET) Kaido, J; Kimoto, T; Suda, J; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 1409-1412 |