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書誌情報ファイル
Selective homoepitaxy of 4H-SiC on (0001) and (1 1 (2)over-bar 0) masked substrates
  Chen, Y; Kimoto, T; Takeuchi, Y; Matsunami, H (2002)
  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 237: 1224-1229

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