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書誌情報ファイル
Reduction of stacking faults in fast epitaxial growth of 4H-SiC and its impacts on high-voltage Schottky diodes
  Fujiwara, H; Kimoto, T; Tojo, T; Matsunami, H (2005)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 483: 151-154

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