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書誌情報 | ファイル |
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Bandgap shift by quantum confinement effect in <100> Si-nanowires derived from threshold-voltage shift of fabricated metal-oxide-semiconductor field effect transistors and theoretical calculations Yoshioka, Hironori; Morioka, Naoya; Suda, Jun; Kimoto, Tsunenobu (2011-03-15) JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 109(6) |