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書誌情報 | ファイル |
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Interface Control of AlGaN/SiC Heterojunction and Development of High-Current-Gain SiC-Based Bipolar Transistors Miyake, Hiroki (2012-03-26) 京都大学 | |
半極性GaNバルク基板上へのInGaN量子構造の成長と偏光物性 上田, 雅也 (2009-03-23) 京都大学 | |
Epitaxial Growth of Wide Bandgap Compound Semiconductors for Laser Diodes Tsujimura, Ayumu (2012-09-24) 京都大学 | |
GaN およびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測 石井, 良太 (2013-03-25) 京都大学 | |
Fundamental Study on Wide-Bandgap-Semiconductor MEMS and Photodetectors for Integrated Smart Sensors Watanabe, Naoki (2013-03-25) 京都大学 |
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