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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| A cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on the (11(2)over-bar0) face Yano, H; Hirao, T; Kimoto, T; Matsunami, H (2001) APPLIED PHYSICS LETTERS, 78(3): 374-376 |