ブラウズ : キーワード (1120) plane

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書誌情報ファイル
Breakdown fields along various crystal orientations in 4H-, 6H- and 3C-SiC
  Nakamura, SI; Kumagai, H; Kimoto, T; Matsunami, H (2002)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3: 651-654
Recent achievements and future challenges in SiC homoepitaxial growth
  Kimoto, T; Nakazawa, S; Fujihira, K; Hirao, T; Nakamura, S; Chen, Y; Hashimoto, K; Matsunami, H (2002)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3: 165-170