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ブラウズ : キーワード gas source molecular beam epitaxy

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書誌情報ファイル
In-situ RHEED analysis during alpha-SiC homoepitaxy on (0001)Si- and (000(1)over-bar)C-faces by gas source molecular beam epitaxy
  Hatayama, T; Fuyuki, T; Nakamura, S; Kurobe, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2000)
  SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2, 338-3: 361-364
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