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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Fast epitaxial growth of thick 4H-SiC with specular surface by chimney-type vertical hot-wall chemical vapor deposition Fujiwara, H; Danno, K; Kimoto, T; Tojo, T; Matsunami, H (2004) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2, 457-460: 205-208 |