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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| Source of surface morphological defects formed on 4H-SiC homoepitaxial films Okada, T; Ochi, K; Kawahara, H; Tomita, T; Matsuo, S; Yamaguchi, M; Higashimine, K; Kimoto, T (2006) JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 45(10A): 7625-7631 |