このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Hiyoshi, Toru | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.date.accessioned | 2010-04-19T05:59:55Z | - |
| dc.date.available | 2010-04-19T05:59:55Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.issn | 1882-0778 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/109609 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | JAPAN SOCIETY APPLIED PHYSICS | en |
| dc.title | Reduction of Deep Levels and Improvement of Carrier Lifetime in n-Type 4H-SiC by Thermal Oxidation | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | APPLIED PHYSICS EXPRESS | en |
| dc.identifier.volume | 2 | - |
| dc.identifier.issue | 4 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/APEX.2.041101 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dc.identifier.artnum | 041101 | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。