Characterization of Plasma Process-Induced Latent Defects in Surface and Interface Layer of Si Substrate

Nakakubo, Yoshinori; Eriguchi, Koji; Ono, Kouichi

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http://hdl.handle.net/2433/210585

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DCフィールド	値	言語
dc.contributor.author	Nakakubo, Yoshinori	en
dc.contributor.author	Eriguchi, Koji	en
dc.contributor.author	Ono, Kouichi	en
dc.contributor.alternative	江利口, 浩二	ja
dc.date.accessioned	2016-05-13T01:30:10Z	-
dc.date.available	2016-05-13T01:30:10Z	-
dc.date.issued	2015-02-14	-
dc.identifier.issn	2162-8769	-
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2433/210585	-
dc.format.mimetype	application/pdf	-
dc.language.iso	eng	-
dc.publisher	Electrochemical Society	en
dc.rights	© The Author(s) 2015. Published by ECS.This is an open access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial No Derivatives 4.0 License (CC BY-NC-ND, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/), which permits non-commercial reuse, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is not changed in any way and is properly cited. For permission for commercial reuse, please email: oa@electrochem.org.	en
dc.subject	capacitance	en
dc.subject	defect	en
dc.subject	Plasma damage	en
dc.subject	silicon	en
dc.subject	spectroscopic ellipsometry	en
dc.title	Characterization of Plasma Process-Induced Latent Defects in Surface and Interface Layer of Si Substrate	en
dc.type	journal article	-
dc.type.niitype	Journal Article	-
dc.identifier.ncid	AA12582725	-
dc.identifier.jtitle	ECS Journal of Solid State Science and Technology	en
dc.identifier.volume	4	-
dc.identifier.issue	6	-
dc.identifier.spage	N5077	-
dc.identifier.epage	N5083	-
dc.relation.doi	10.1149/2.0121506jss	-
dc.textversion	publisher	-
dcterms.accessRights	open access	-
出現コレクション:	学術雑誌掲載論文等

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