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ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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ApplPhysLett_86_122104.pdf | 55.11 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
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dc.contributor.author | Danno, K | en |
dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
dc.date.accessioned | 2006-12-25T02:30:08Z | - |
dc.date.available | 2006-12-25T02:30:08Z | - |
dc.date.issued | 2005-03-21 | - |
dc.identifier.citation | K. Danno et al., Appl. Phys. Lett. 86, 122104 (2005) | - |
dc.identifier.issn | 0003-6951 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/24193 | - |
dc.format.extent | 56437 bytes | - |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | American Institute of Physics | en |
dc.rights | Copyright 2005 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | en |
dc.title | Midgap levels in both n- and p-type 4H-SiC epilayers investigated by deep level transient spectroscopy | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.ncid | AA00543431 | - |
dc.identifier.jtitle | Applied Physics Letters | en |
dc.identifier.volume | 86 | - |
dc.identifier.issue | 12 | - |
dc.relation.doi | 10.1063/1.1886904 | - |
dc.textversion | publisher | - |
dc.identifier.artnum | 122104 | - |
dc.relation.url | http://link.aip.org/link/?apl/86/122104 | - |
dcterms.accessRights | open access | - |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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