このアイテムのアクセス数: 1093
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_79_2761.pdf | 53.93 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.contributor.author | Nakazawa, Satoshi | en |
| dc.contributor.author | Hashimoto, Koichi | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, Hiroyuki | en |
| dc.date.accessioned | 2006-12-25T02:30:16Z | - |
| dc.date.available | 2006-12-25T02:30:16Z | - |
| dc.date.issued | 2001-10-22 | - |
| dc.identifier.citation | T. Kimoto et al., Appl. Phys. Lett. 79, 2761-2763 (2001) | - |
| dc.identifier.issn | 0003-6951 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/24206 | - |
| dc.format.extent | 55221 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | American Institute of Physics | en |
| dc.rights | Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | en |
| dc.title | Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.ncid | AA00543431 | - |
| dc.identifier.jtitle | Applied Physics Letters | en |
| dc.identifier.volume | 79 | - |
| dc.identifier.issue | 17 | - |
| dc.identifier.spage | 2761 | - |
| dc.identifier.epage | 2763 | - |
| dc.relation.doi | 10.1063/1.1413724 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.relation.url | http://link.aip.org/link/?apl/79/2761 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。