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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_78_374.pdf | 54.24 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Yano, Hiroshi | en |
| dc.contributor.author | Hirao, Taichi | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, Hiroyuki | en |
| dc.date.accessioned | 2006-12-25T02:30:17Z | - |
| dc.date.available | 2006-12-25T02:30:17Z | - |
| dc.date.issued | 2001-01-15 | - |
| dc.identifier.citation | H. Yano et al., Appl. Phys. Lett. 78, 374-376 (2001) | - |
| dc.identifier.issn | 0003-6951 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/24208 | - |
| dc.format.extent | 55537 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | American Institute of Physics | en |
| dc.rights | Copyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. | en |
| dc.title | A cause for highly improved channel mobility of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on the (11(2)over-bar0) face | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.ncid | AA00543431 | - |
| dc.identifier.jtitle | Applied Physics Letters | en |
| dc.identifier.volume | 78 | - |
| dc.identifier.issue | 3 | - |
| dc.identifier.spage | 374 | - |
| dc.identifier.epage | 376 | - |
| dc.relation.doi | 10.1063/1.1340861 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.relation.url | http://link.aip.org/link/?apl/78/374 | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
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