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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| dkogk05250.pdf | Dissertation_全文 | 13.47 MB | Adobe PDF | [公開前] |
| ykogk05250.pdf | Abstract_要旨 | 178.51 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Digital Active Gate Drive System for Silicon Carbide Power MOSFETs |
| その他のタイトル: | シリコンカーバイドパワーMOSFETのためのデジタルアクティブゲート駆動システム |
| 著者: | Takayama, Hajime |
| キーワード: | Digital active gate drive Silicon carbide Power MOSFET Power electronics Optimization |
| 発行日: | 25-Mar-2024 |
| 出版者: | Kyoto University |
| 記述: | 付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第25291号 |
| 学位記番号: | 工博第5250号 |
| 学位授与年月日: | 2024-03-25 |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 木本 恒暢, 教授 引原 隆士, 准教授 三谷 友彦, 教授 川上 養一 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 許諾条件により本文は2025-03-24に公開 In reference to IEEE copyrighted material which is used with permission in this thesis, the IEEE does not endorse any of Kyoto University's products or services. Internal or personal use of this material is permitted. If interested in reprinting/republishing IEEE copyrighted material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution, please go to http://www.ieee.org/publications_standards/publications/rights/rights_link.html to learn how to obtain a License from RightsLink. If applicable, University Microfilms and/or ProQuest Library, or the Archives of Canada may supply single copies of the dissertation. |
| DOI: | 10.14989/doctor.k25291 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/288725 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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