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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Kataoka, M | en |
| dc.contributor.author | Takeuchi, Y | en |
| dc.contributor.author | Malhan, RK | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T05:37:46Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T05:37:46Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 0167-9317 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/34851 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | embedded epitaxial growth | en |
| dc.subject | trench | en |
| dc.subject | Pn junction | en |
| dc.title | Embedded epitaxial growth of 4H-SiC on trenched substrates and pn junction characteristics | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | MICROELECTRONIC ENGINEERING | en |
| dc.identifier.volume | 83 | - |
| dc.identifier.issue | 1 | - |
| dc.identifier.spage | 27 | - |
| dc.identifier.epage | 29 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.mee.2005.10.018 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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