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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| IEEE_TED_52_112.pdf | 406.88 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Kosugi, H | en |
| dc.contributor.author | Suda, J | en |
| dc.contributor.author | Kanzaki, Y | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-06-14T06:22:36Z | - |
| dc.date.available | 2007-06-14T06:22:36Z | - |
| dc.date.issued | 2005-01 | - |
| dc.identifier.issn | 0018-9383 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/39986 | - |
| dc.format.extent | 416647 bytes | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.rights | (c)2005 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE. | en |
| dc.title | Design and Fabrication of RESURF MOSFETs on 4H-SiC(0001), (1120), and 6H-SiC(0001) | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | en |
| dc.identifier.volume | 52 | - |
| dc.identifier.issue | 1 | - |
| dc.identifier.spage | 112 | - |
| dc.identifier.epage | 117 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/TED.2004.841358 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
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