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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ApplPhysLett_80_1147.pdf | 71.72 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Formation and decay mechanisms of electron-hole pairs in amorphous SiO2 |
| 著者: | Uchino, T Takahashi, M Yoko, T |
| 発行日: | 18-Feb-2002 |
| 出版者: | AMER INST PHYSICS |
| 誌名: | APPLIED PHYSICS LETTERS |
| 巻: | 80 |
| 号: | 7 |
| 開始ページ: | 1147 |
| 終了ページ: | 1149 |
| 著作権等: | Copyright 2002 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/50384 |
| DOI(出版社版): | 10.1063/1.1448173 |
| 関連リンク: | http://link.aip.org/link/?apl/80/1147 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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