ダウンロード数: 380
このアイテムのファイル:
ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
---|---|---|---|---|
p1475_1.pdf | 165.57 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Structure and formation mechanism of Ge E ' center from divalent defects in Ge-doped SiO2 glass |
著者: | Uchino, T Takahashi, M Yoko, T |
発行日: | 14-Feb-2000 |
出版者: | AMERICAN PHYSICAL SOC |
誌名: | PHYSICAL REVIEW LETTERS |
巻: | 84 |
号: | 7 |
開始ページ: | 1475 |
終了ページ: | 1478 |
著作権等: | Copyright 2000 American Physical Society |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/50390 |
DOI(出版社版): | 10.1103/PhysRevLett.84.1475 |
PubMed ID: | 11017546 |
関連リンク: | http://link.aps.org/abstract/PRL/v84/p1475 |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。