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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| p1475_1.pdf | 165.57 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Structure and formation mechanism of Ge E ' center from divalent defects in Ge-doped SiO2 glass |
| 著者: | Uchino, T Takahashi, M Yoko, T |
| 発行日: | 14-Feb-2000 |
| 出版者: | AMERICAN PHYSICAL SOC |
| 誌名: | PHYSICAL REVIEW LETTERS |
| 巻: | 84 |
| 号: | 7 |
| 開始ページ: | 1475 |
| 終了ページ: | 1478 |
| 著作権等: | Copyright 2000 American Physical Society |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/50390 |
| DOI(出版社版): | 10.1103/PhysRevLett.84.1475 |
| PubMed ID: | 11017546 |
| 関連リンク: | http://link.aps.org/abstract/PRL/v84/p1475 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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