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dc.contributor.authorOgata, YHen
dc.contributor.authorYoshimi, Nen
dc.contributor.authorYasuda, Ren
dc.contributor.authorTsuboi, Ten
dc.contributor.authorSakka, Ten
dc.contributor.authorOtsuki, Aen
dc.date.accessioned2008-03-18T01:17:49Z-
dc.date.available2008-03-18T01:17:49Z-
dc.date.issued2001-12-15-
dc.identifier.issn0021-8979-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/50429-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.rightsCopyright 2001 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.en
dc.titleStructural change in p-type porous silicon by thermal annealingen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF APPLIED PHYSICSen
dc.identifier.volume90-
dc.identifier.issue12-
dc.identifier.spage6487-
dc.identifier.epage6492-
dc.relation.doi10.1063/1.1416862-
dc.textversionpublisher-
dc.relation.urlhttp://link.aip.org/link/?jap/90/6487-
dcterms.accessRightsopen access-
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