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dc.contributor.authorFunaki, Ten
dc.contributor.authorBalda, JCen
dc.contributor.authorJunghans, Jen
dc.contributor.authorKashyap, ASen
dc.contributor.authorMantooth, HAen
dc.contributor.authorBarlow, Fen
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorHikihara, Ten
dc.date.accessioned2008-03-18T07:21:29Z-
dc.date.available2008-03-18T07:21:29Z-
dc.date.issued2007-07-
dc.identifier.issn0885-8993-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/50531-
dc.language.isoeng-
dc.publisherIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCen
dc.rights(c)2007 IEEE. Personal use of this material is permitted. However, permission to reprint/republish this material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution to servers or lists, or to reuse any copyrighted component of this work in other works must be obtained from the IEEE.en
dc.titlePower conversion with SiC devices at extremely high ambient temperaturesen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleIEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICSen
dc.identifier.volume22-
dc.identifier.issue4-
dc.identifier.spage1321-
dc.identifier.epage1329-
dc.relation.doi10.1109/TPEL.2007.900561-
dc.textversionpublisher-
dcterms.accessRightsopen access-
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