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| タイトル: | Growth mechanism of atmospheric pressure MOVPE of GaN and its alloys: gas phase chemistry and its impact on reactor design |
| 著者: | Matsumoto, K Tachibana, A  |
| キーワード: | gas-phase chemistry chemical vapor deposition metalorganic vapor phase epitaxy AlGaN GaN |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH |
| 巻: | 272 |
| 号: | 1-4 |
| 開始ページ: | 360 |
| 終了ページ: | 369 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/5519 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.jcrysgro.2004.08.115 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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