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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:44:22Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:44:22Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 8756-663X | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6280 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | SCRIPTA TECHNICA-JOHN WILEY & SONS | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.subject | power device | en |
| dc.subject | ion implantation | en |
| dc.subject | pn diode | en |
| dc.subject | avalanche breakdown | en |
| dc.title | High-voltage 4H-SiC pn diodes fabricated by p-type ion implantation | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS | en |
| dc.identifier.volume | 86 | - |
| dc.identifier.issue | 12 | - |
| dc.identifier.spage | 44 | - |
| dc.identifier.epage | 51 | - |
| dc.relation.doi | 10.1002/ecjb.10162 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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