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| タイトル: | High-voltage 4H-SiC pn diodes fabricated by p-type ion implantation |
| 著者: | Negoro, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide power device ion implantation pn diode avalanche breakdown |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | SCRIPTA TECHNICA-JOHN WILEY & SONS |
| 誌名: | ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN PART II-ELECTRONICS |
| 巻: | 86 |
| 号: | 12 |
| 開始ページ: | 44 |
| 終了ページ: | 51 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6280 |
| DOI(出版社版): | 10.1002/ecjb.10162 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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