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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Miyamoto, N | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T04:05:25Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T04:05:25Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 0018-9383 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/6284 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.subject | avalanche breakdown | en |
| dc.subject | ion implantation | en |
| dc.subject | p-n diode | en |
| dc.subject | SiC | en |
| dc.subject | silicon carbide | en |
| dc.title | Avalanche phenomena in 4H-SiC p-n diodes fabricated by aluminum or boron implantation | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | en |
| dc.identifier.volume | 49 | - |
| dc.identifier.issue | 9 | - |
| dc.identifier.spage | 1505 | - |
| dc.identifier.epage | 1510 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/TED.2002.802637 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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