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| タイトル: | Formation of anomalous defect structure on GaSb surface by low temperature Sn ion-implantation |
| 著者: | Nitta, N Taniwaki, M Suzuki, T Hayashi, Y Satoh, Y Yoshiie, T |
| キーワード: | gallium antimonide tin ion-implantation III-V compound semiconductor point defects vacancy interstitial honey-comb low temperature implantation cross-sectional transmission electron microscopy Fourier transformation amorphous microtwin high resolution transmission electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy scanning electron microscopy anomalous behavior swelling elevation cavity void surface defect strain local composition defect structure defect formation mechanism |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | JAPAN INST METALS |
| 誌名: | MATERIALS TRANSACTIONS |
| 巻: | 43 |
| 号: | 4 |
| 開始ページ: | 674 |
| 終了ページ: | 680 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/6373 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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