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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Tsuji, Hiroshi | en |
| dc.contributor.author | Arai, Nobutoshi | en |
| dc.contributor.author | Gotoh, Naoyuki | en |
| dc.contributor.author | Minotani, Takashi | en |
| dc.contributor.author | Kojima, Kenji | en |
| dc.contributor.author | Adachi, Kouichiro | en |
| dc.contributor.author | Kotaki, Hiroshi | en |
| dc.contributor.author | Ishibashi, Toyotsugu | en |
| dc.contributor.author | Gotoh, Yasuhito | en |
| dc.contributor.author | Ishikawa, Junzo | en |
| dc.date.accessioned | 2008-11-17T03:01:00Z | - |
| dc.date.available | 2008-11-17T03:01:00Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.issn | 0168-583X | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/67203 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | ELSEVIER SCIENCE BV | en |
| dc.subject | negative-ion beam | en |
| dc.subject | ion implantation | en |
| dc.subject | nanoparticle | en |
| dc.subject | capacitance-voltage characteristics | en |
| dc.title | Nanoparticle formation in 25-nm-SiO2 thin layer by germanium negative-ion implantation and its capacitance-voltage characteristics | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | en |
| dc.identifier.volume | 257 | - |
| dc.identifier.spage | 94 | - |
| dc.identifier.epage | 98 | - |
| dc.relation.doi | 10.1016/j.nimb.2006.12.156 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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