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| タイトル: | Nanoparticle formation in 25-nm-SiO2 thin layer by germanium negative-ion implantation and its capacitance-voltage characteristics |
| 著者: | Tsuji, Hiroshi  Arai, Nobutoshi Gotoh, Naoyuki Minotani, Takashi Kojima, Kenji Adachi, Kouichiro Kotaki, Hiroshi Ishibashi, Toyotsugu Gotoh, Yasuhito  Ishikawa, Junzo |
| キーワード: | negative-ion beam ion implantation nanoparticle capacitance-voltage characteristics |
| 発行日: | 2007 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS |
| 巻: | 257 |
| 開始ページ: | 94 |
| 終了ページ: | 98 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/67203 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/j.nimb.2006.12.156 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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