このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Suda, J | en |
| dc.contributor.author | Kurobe, T | en |
| dc.contributor.author | Nakamura, S | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:20:01Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:20:01Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-4922 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/7364 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | INST PURE APPLIED PHYSICS | en |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | 3C-SiC | en |
| dc.subject | selective area growth | en |
| dc.subject | molecular beam epitaxy | en |
| dc.subject | focused ion beam | en |
| dc.title | Selective area growth of cubic GaN on 3C-SiC (001) by metalorganic molecular beam epitaxy | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 39 | - |
| dc.identifier.issue | 11A | - |
| dc.identifier.spage | L1081 | - |
| dc.identifier.epage | L1083 | - |
| dc.relation.doi | 10.1143/JJAP.39.L1081 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。