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| タイトル: | Selective area growth of cubic GaN on 3C-SiC (001) by metalorganic molecular beam epitaxy |
| 著者: | Suda, J Kurobe, T Nakamura, S Matsunami, H |
| キーワード: | GaN 3C-SiC selective area growth molecular beam epitaxy focused ion beam |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS |
| 巻: | 39 |
| 号: | 11A |
| 開始ページ: | L1081 |
| 終了ページ: | L1083 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/7364 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.39.L1081 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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