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dc.contributor.authorUchino, Ten
dc.contributor.authorTakahashi, Men
dc.contributor.authorYoko, Ten
dc.date.accessioned2007-03-28T03:17:47Z-
dc.date.available2007-03-28T03:17:47Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/8023-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAMER INST PHYSICSen
dc.titleMechanism of electron trapping in Ge-doped SiO2 glassen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS LETTERSen
dc.identifier.volume79-
dc.identifier.issue3-
dc.identifier.spage359-
dc.identifier.epage361-
dc.relation.doi10.1063/1.1383273-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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