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| タイトル: | Theoretical study on the initial processes of nitridation of silicon thin film |
| 著者: | Yoshida, S Doi, K Nakamura, K  Tachibana, A |
| キーワード: | formation of SiON film hydrogen termination nitridation of silicon surface first-principle calculation quantum mechanical energy density |
| 発行日: | 2003 |
| 出版者: | ELSEVIER SCIENCE BV |
| 誌名: | APPLIED SURFACE SCIENCE |
| 巻: | 216 |
| 号: | 1-4 |
| 開始ページ: | 141 |
| 終了ページ: | 148 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8559 |
| DOI(出版社版): | 10.1016/S0169-4332(03)00503-8 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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