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Vol.21 No.1
22
Vol.21 No.1
22
(http://hdl.handle.net/2433/86672)
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書誌情報 | ファイル |
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Narrow Gap Semiconductor (NGS)表面反転層(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) 大川, 房義 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F68-F72 | |
表紙・投稿規定・プレプリント・編集後記・目次・裏表紙ほか (1973-10-20) 物性研究, 21(1): 78-86 |
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