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Vol.33 No.4   27
(http://hdl.handle.net/2433/86830)

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BibliographyContents
有限系の自由エネルギーと準安定性
  冨田, 博之, 村上, 力 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 149-157
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中性子回折と物性研究(講義ノート)
  星埜, 禎男, 奥村, 元, 兼岩, 進治, 田中, 昌子 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 159-178
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「固体表面及び吸着子の理論」研究会報告
   (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 179-181
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1. Mo,W(001)面の原子再配列,原子面間隔の緩和(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  寺倉, 清之 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 182-182
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2.バネモデルによる表面原子再配列(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  寺岡, 義博 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 183-183
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3.固体表面の格子振動(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  松原, 武生 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 183-184
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4.合金表面の組成変化(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  馬越, 健次 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 184-184
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5. Si(111)7×7表面構造の解析(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  井野, 正三 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 185-185
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6.半導体表面構成と化学吸着(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  中村, 勝弘 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 186-186
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7. Si(111)2×1再構成表面での原子配位と電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  星野, 敏春 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 187-190
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8.結晶の表面再構成と電子構造(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  菅野, 暁 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 190-190
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9.再構成表面の異方的電子線エネルギー損失(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  張, 紀久夫 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 191-191
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10.絶縁体(半導体)・金属界面の電子状態(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  興地, 斐男 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 191-192
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11. OS界面の微視的構造とMOS電子状態(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  中山, 正敏 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 192-193
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12.半導体表面の電子状態に対する表面緩和効果(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  西田, 昌彦 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 193-194
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13. DV-Xα法による固体及び表面のバンド計算(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  里子, 允敏 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 194-195
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14. 3d遷移金属表面の電子スピン分極(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  平下, 紀夫, 神原, 武志, 権平, 健一郎 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 195-196
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15.吸着子の光電子放出における多体効果(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  山田, 耕作 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 196-198
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16.吸着層におけるIC-IC,IC-C転移(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  斯波, 弘行 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 198-198
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17. ReO_3の表面電子状態とオレフィンのメタセシス(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告)
  塚田, 捷 (1980-01-20)
  物性研究, 33(4): 199-199
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