ダウンロード数: 530
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| KJ00004810269.pdf | 136.97 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | 7. Si(111)2×1再構成表面での原子配位と電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) |
| 著者: | 星野, 敏春  |
| 著者名の別形: | Hoshino, Toshiharu |
| 発行日: | 20-Jan-1980 |
| 出版者: | 物性研究刊行会 |
| 誌名: | 物性研究 |
| 巻: | 33 |
| 号: | 4 |
| 開始ページ: | 187 |
| 終了ページ: | 190 |
| 記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/89914 |
| 出現コレクション: | Vol.33 No.4 |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。