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Vol.33 No.4
27
Vol.33 No.4
27
(http://hdl.handle.net/2433/86830)
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書誌情報 | ファイル |
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有限系の自由エネルギーと準安定性 冨田, 博之; 村上, 力 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 149-157 | |
中性子回折と物性研究(講義ノート) 星埜, 禎男; 奥村, 元; 兼岩, 進治; 田中, 昌子 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 159-178 | |
「固体表面及び吸着子の理論」研究会報告 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 179-181 | |
1. Mo,W(001)面の原子再配列,原子面間隔の緩和(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 寺倉, 清之 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 182-182 | |
2.バネモデルによる表面原子再配列(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 寺岡, 義博 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 183-183 | |
3.固体表面の格子振動(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 松原, 武生 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 183-184 | |
4.合金表面の組成変化(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 馬越, 健次 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 184-184 | |
5. Si(111)7×7表面構造の解析(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 井野, 正三 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 185-185 | |
6.半導体表面構成と化学吸着(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 中村, 勝弘 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 186-186 | |
7. Si(111)2×1再構成表面での原子配位と電子状態密度 : 化学擬ポテンシャル法(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 星野, 敏春 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 187-190 | |
8.結晶の表面再構成と電子構造(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 菅野, 暁 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 190-190 | |
9.再構成表面の異方的電子線エネルギー損失(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 張, 紀久夫 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 191-191 | |
10.絶縁体(半導体)・金属界面の電子状態(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 興地, 斐男 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 191-192 | |
11. OS界面の微視的構造とMOS電子状態(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 中山, 正敏 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 192-193 | |
12.半導体表面の電子状態に対する表面緩和効果(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 西田, 昌彦 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 193-194 | |
13. DV-Xα法による固体及び表面のバンド計算(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 里子, 允敏 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 194-195 | |
14. 3d遷移金属表面の電子スピン分極(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 平下, 紀夫; 神原, 武志; 権平, 健一郎 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 195-196 | |
15.吸着子の光電子放出における多体効果(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 山田, 耕作 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 196-198 | |
16.吸着層におけるIC-IC,IC-C転移(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 斯波, 弘行 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 198-198 | |
17. ReO_3の表面電子状態とオレフィンのメタセシス(固体表面及び吸着子の理論,研究会報告) 塚田, 捷 (1980-01-20) 物性研究, 33(4): 199-199 |
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