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書誌情報 | ファイル |
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半導体中の深い欠陥準位を介した多重フォノン無頼射再結合によって誘起される動的欠陥反応(非線形緩和過程の統計物理,研究会報告) 住, 斉 (1982-12-20) 物性研究, 39(3): C17-C17 |
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半導体中の深い欠陥準位を介した多重フォノン無頼射再結合によって誘起される動的欠陥反応(非線形緩和過程の統計物理,研究会報告) 住, 斉 (1982-12-20) 物性研究, 39(3): C17-C17 |