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Vol.40 No.4
42
Vol.40 No.4
42
(http://hdl.handle.net/2433/86872)
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| 書誌情報 | ファイル |
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| 35. A.C. Conductivity and the Electron Localization in Si MOS-FET under High Magnetic Fields(Experiments,IV. Quantized Hall Effects) Miura, N.; Isawa, Y. (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 116-118 |  |
| 表紙・投稿規定・プレプリント案内・編集後記・裏表紙ほか (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 416-434 | |
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