書誌情報	ファイル
15. アンダーソン局在と超伝導(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   前川, 禎通 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 50-52
16. 超伝導ゆらぎと弱局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   海老沢, 丕道 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 53-54
17. 磁気抵抗における磁場の強さによる次元変化(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   川畑, 有郷 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 55-56
18. Localization in Two Dimensions : Experiments in Silicon Inversion Layers(Experiments,II Two Dimensional Systems)   Kawaji, S. (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 57-64
19. The Anderson Localization in Metallic Films(Experiments,II Two Dimensional Systems)   Kobayashi, Shun-ichi (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 65-70
20. The Anti-Localization Effect in Bi Thin Films(Experiments,II Two Dimensional Systems)   Komori, F.; Kobayashi, S.; Sasaki, W. (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 71-74
21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   大山, 忠司; 岡本, 稔; 大塚, 頴三 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 75-77
22. 電場効果について(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   都築, 俊夫 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 78-78
23. Electric Field Dependence of Conductivity and Magnetoconductance in Si MOSFETs in Weakly Localized Regime(Electric Field Effects,II Two Dimensional Systems)   KAWAGUCHI, Yoichi (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 79-81
24. 1次元アンダーソン局在系の動的応答 : 計算機実験と厳密解(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   佐宗, 哲郎; 金, 昌一 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 82-84
25. Localization-Delocalization Transition by Interactions in One Dimensional Fermion Systems(Theories,III. One Dimensional Systems)   Suzumura, Yoshikazu; Fukuyama, Hidetoshi (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 85-86
26. Soliton Conduction in Polyacetilene(CH)_X(Experiment,III. One Dimensional Systems)   Ikehata, S. (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 87-89
27. Theory of Quantized Hall Effect and Localization(Theories,IV. Quantized Hall Effects)   ANDO, Tsuneya (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 90-93
28. Two-Dimensional Anderson Localization under Strong Maqnetic Fields(Theories,IV. Quantized Hall Effects)   ONO, Yoshiyuki (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 94-96
29. Quantised Hall Effect and Localisation in Two Dimensions(Theories,IV. Quantized Hall Effects)   Aoki, H. (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 97-99
30. 非整数量子ホール効果とCDWモデル(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   倉本, 義夫 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 100-103
31. 量子ホール効果とクローン相互作用(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   吉岡, 大二郎 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 104-106
32. 二次元強磁場における電子軌道の局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   長岡, 洋介 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 107-109
33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)   Kinoshita, J.; Yoshihiro, K. (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 110-112
34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)   若林, 淳一 (1983-07-20)   物性研究, 40(4): 113-115