書誌情報 | ファイル |
15. アンダーソン局在と超伝導(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 前川, 禎通 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 50-52
| |
16. 超伝導ゆらぎと弱局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 海老沢, 丕道 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 53-54
| |
17. 磁気抵抗における磁場の強さによる次元変化(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 川畑, 有郷 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 55-56
| |
18. Localization in Two Dimensions : Experiments in Silicon Inversion Layers(Experiments,II Two Dimensional Systems) Kawaji, S. (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 57-64
| |
19. The Anderson Localization in Metallic Films(Experiments,II Two Dimensional Systems) Kobayashi, Shun-ichi (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 65-70
| |
20. The Anti-Localization Effect in Bi Thin Films(Experiments,II Two Dimensional Systems) Komori, F.; Kobayashi, S.; Sasaki, W. (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 71-74
| |
21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 大山, 忠司; 岡本, 稔; 大塚, 頴三 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 75-77
| |
22. 電場効果について(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 都築, 俊夫 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 78-78
| |
23. Electric Field Dependence of Conductivity and Magnetoconductance in Si MOSFETs in Weakly Localized Regime(Electric Field Effects,II Two Dimensional Systems) KAWAGUCHI, Yoichi (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 79-81
| |
24. 1次元アンダーソン局在系の動的応答 : 計算機実験と厳密解(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 佐宗, 哲郎; 金, 昌一 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 82-84
| |
25. Localization-Delocalization Transition by Interactions in One Dimensional Fermion Systems(Theories,III. One Dimensional Systems) Suzumura, Yoshikazu; Fukuyama, Hidetoshi (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 85-86
| |
26. Soliton Conduction in Polyacetilene(CH)_X(Experiment,III. One Dimensional Systems) Ikehata, S. (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 87-89
| |
27. Theory of Quantized Hall Effect and Localization(Theories,IV. Quantized Hall Effects) ANDO, Tsuneya (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 90-93
| |
28. Two-Dimensional Anderson Localization under Strong Maqnetic Fields(Theories,IV. Quantized Hall Effects) ONO, Yoshiyuki (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 94-96
| |
29. Quantised Hall Effect and Localisation in Two Dimensions(Theories,IV. Quantized Hall Effects) Aoki, H. (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 97-99
| |
30. 非整数量子ホール効果とCDWモデル(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 倉本, 義夫 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 100-103
| |
31. 量子ホール効果とクローン相互作用(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 吉岡, 大二郎 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 104-106
| |
32. 二次元強磁場における電子軌道の局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 長岡, 洋介 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 107-109
| |
33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects) Kinoshita, J.; Yoshihiro, K. (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 110-112
| |
34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) 若林, 淳一 (1983-07-20) 物性研究, 40(4): 113-115
| |