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Vol.40 No.4   42
(http://hdl.handle.net/2433/86872)

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BibliographyContents
15. アンダーソン局在と超伝導(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  前川, 禎通 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 50-52
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16. 超伝導ゆらぎと弱局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  海老沢, 丕道 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 53-54
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17. 磁気抵抗における磁場の強さによる次元変化(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  川畑, 有郷 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 55-56
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18. Localization in Two Dimensions : Experiments in Silicon Inversion Layers(Experiments,II Two Dimensional Systems)
  Kawaji, S. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 57-64
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19. The Anderson Localization in Metallic Films(Experiments,II Two Dimensional Systems)
  Kobayashi, Shun-ichi (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 65-70
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20. The Anti-Localization Effect in Bi Thin Films(Experiments,II Two Dimensional Systems)
  Komori, F., Kobayashi, S., Sasaki, W. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 71-74
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21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  大山, 忠司, 岡本, 稔, 大塚, 頴三 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 75-77
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22. 電場効果について(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  都築, 俊夫 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 78-78
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23. Electric Field Dependence of Conductivity and Magnetoconductance in Si MOSFETs in Weakly Localized Regime(Electric Field Effects,II Two Dimensional Systems)
  KAWAGUCHI, Yoichi (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 79-81
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24. 1次元アンダーソン局在系の動的応答 : 計算機実験と厳密解(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  佐宗, 哲郎, 金, 昌一 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 82-84
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25. Localization-Delocalization Transition by Interactions in One Dimensional Fermion Systems(Theories,III. One Dimensional Systems)
  Suzumura, Yoshikazu, Fukuyama, Hidetoshi (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 85-86
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26. Soliton Conduction in Polyacetilene(CH)_X(Experiment,III. One Dimensional Systems)
  Ikehata, S. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 87-89
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27. Theory of Quantized Hall Effect and Localization(Theories,IV. Quantized Hall Effects)
  ANDO, Tsuneya (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 90-93
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28. Two-Dimensional Anderson Localization under Strong Maqnetic Fields(Theories,IV. Quantized Hall Effects)
  ONO, Yoshiyuki (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 94-96
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29. Quantised Hall Effect and Localisation in Two Dimensions(Theories,IV. Quantized Hall Effects)
  Aoki, H. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 97-99
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30. 非整数量子ホール効果とCDWモデル(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  倉本, 義夫 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 100-103
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31. 量子ホール効果とクローン相互作用(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  吉岡, 大二郎 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 104-106
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32. 二次元強磁場における電子軌道の局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  長岡, 洋介 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 107-109
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33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)
  Kinoshita, J., Yoshihiro, K. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 110-112
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34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  若林, 淳一 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 113-115
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