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KJ00004812217.pdf | 187.71 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | 34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告) |
その他のタイトル: | 34. Influence of Current, Magnetic Field, Substrate Bias and Frequency on Quantized Hall Effect in Si MOSFET(Experiments,IV. Quantized Hall Effects) |
著者: | 若林, 淳一 |
著者名の別形: | Wakabayashi, J. |
発行日: | 20-Jul-1983 |
出版者: | 物性研究刊行会 |
誌名: | 物性研究 |
巻: | 40 |
号: | 4 |
開始ページ: | 113 |
終了ページ: | 115 |
記述: | この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/91063 |
出現コレクション: | Vol.40 No.4 |
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