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| タイトル: | Recent progress in SiC epitaxial growth and device processing technology |
| 著者: | Kimoto, T Yano, H Tamura, S Miyamoto, N Fujihira, K Negoro, Y Matsunami, H |
| キーワード: | SiC-(1120) homoepitaxial growth ion implantation MOSFET pin diode |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000 |
| 巻: | 353-3 |
| 開始ページ: | 543 |
| 終了ページ: | 548 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8795 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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