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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Maeyama, Y | en |
| dc.contributor.author | Yano, H | en |
| dc.contributor.author | Hatayama, T | en |
| dc.contributor.author | Uraoka, Y | en |
| dc.contributor.author | Fuyuki, T | en |
| dc.contributor.author | Shirafuji, T | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:27:15Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:27:15Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8808 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | MOS | en |
| dc.subject | nitrogen radical | en |
| dc.subject | oxygen radical | en |
| dc.subject | SiO2/SiC interface | en |
| dc.title | Improvement of SiO2/alpha-SiC interface properties by nitrogen radical treatment | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS | en |
| dc.identifier.volume | 389-3 | - |
| dc.identifier.spage | 997 | - |
| dc.identifier.epage | 1000 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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