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| タイトル: | Improvement of SiO2/alpha-SiC interface properties by nitrogen radical treatment |
| 著者: | Maeyama, Y Yano, H Hatayama, T Uraoka, Y Fuyuki, T Shirafuji, T |
| キーワード: | MOS nitrogen radical oxygen radical SiO2/SiC interface |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS |
| 巻: | 389-3 |
| 開始ページ: | 997 |
| 終了ページ: | 1000 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8808 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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