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dc.contributor.authorSchoner, Aen
dc.contributor.authorFujihira, Ken
dc.contributor.authorKimoto, Ten
dc.contributor.authorMatsunami, Hen
dc.date.accessioned2007-03-28T03:17:31Z-
dc.date.available2007-03-28T03:17:31Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.issn0255-5476-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/8872-
dc.language.isoeng-
dc.publisherTRANS TECH PUBLICATIONS LTDen
dc.subjectchimney CVD-reactoren
dc.subjectdeep impuritiesen
dc.subjectepitaxial layersen
dc.subjecthot-wall CVD-reactoren
dc.subjectHT-DLTSen
dc.subjectZ(1)-centeren
dc.titleHigh temperature deep level transient spectroscopy investigations of n-type 4H-SiC epitaxial layersen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleSILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002en
dc.identifier.volume433-4-
dc.identifier.spage387-
dc.identifier.epage390-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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